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Si1024X
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
0.3
0.2
0.1
0.0
- 0.1
- 0.2
- 0.3
I D = 0.25 mA
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
V GS = 4.5 V
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage Variance vs. Temperature
7
6
5
4
3
2
1
0
T J - Temperat u re (°C)
I GSS vs. Temperature
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
T J - Temperat u re (°C)
BV GSS vs. Temperature
2
1
D u ty Cycle = 0.5
0.2
N otes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.01
0.02
Single P u lse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 500 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
100
6 0 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71170 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71170
S11-0854-Rev. E, 02-May-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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